Los módulos DDR4, no están en el mercado, son una realidad tacita. Estos nuevos módulos aportan grandes mejoras, como son unas frecuencias de reloj más elevadas, unas mayores velocidades de transferencias de datos y unos voltajes aún más bajos.
Hasta la fecha solo estaban disponibles los módulos de 64GB, pero K Hynix Inc ha rebasado este límite anunciando que ha sido el primero en crear módulos RAM DDR4 de 128 GB de densidad (conformado por 16 chips de memoria de 8 GB fabricados a un proceso de fabricación de 20 nanómetros) alcanzando unas velocidades de hasta 2133 Mbps respaldados de un I/O de 64 bits capaces de procesar hasta 17 GB de información por segundo bajo un ultra bajo voltaje de 1.20 voltios.
Hasta la fecha solo estaban disponibles los módulos de 64GB, pero K Hynix Inc ha rebasado este límite anunciando que ha sido el primero en crear módulos RAM DDR4 de 128 GB de densidad (conformado por 16 chips de memoria de 8 GB fabricados a un proceso de fabricación de 20 nanómetros) alcanzando unas velocidades de hasta 2133 Mbps respaldados de un I/O de 64 bits capaces de procesar hasta 17 GB de información por segundo bajo un ultra bajo voltaje de 1.20 voltios.
La empresa sur coreana comenzará la producción en masa de estos módulos o mejor dicho chips de memorias DDR4 de 8Gb durante el primer trimestre de 2015, y estarán enfocados inicialmente en el mercado de servidores, aunque la empresa también ofrecerá tecnología DDR4 para el mercado de consumo.
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