Samsung ha dicho hoy que está acelerando la producción de módulos de memoria RAM DDR4 para anticiparse a lafuerte demanda que vaticinan con el próximo lanzamiento oficial de la familia de procesadores Intel Xeon E5-2600 v3. Como saben, la memoria DDR4 está casi a punto de empezar a establecerse en el mercado de consumo, y ya en el mercado profesional se está empezando a utilizar como solución de alto rendimiento y bajo consumo.
Según las palabras de Jim Elliott, vice presidente corporativo de la división de memorias de Samsung, “En Samsung, estamos tomando la iniciativa para preparar nuestro stock de memorias DDR4, anticipándonos a la siguiente generación de procesadores Intel Xeon para servidores. De esta manera, planeamos ayudar a crear un mercado DRAM más grande en la segunda mitad de este año. Seguiremos introduciendo nuevos módulos de memoria DDR4 de alta densidad para facilitar a los OEM el lanzamiento de los servidores de próxima generación y así maximizar la eficiencia de las empresas”.
“Las nuevas tecnología del proceso de fabricación de 20 nm de Samsung tendrá un papel importante en la adopción de las RAM DDR4 en el mercado en conjunto con el lanzamiento del futuro procesador Intel Xeon E5-2600 V3” dijo Geof Findley director del PMO de Habilitación de Memoria y Aplicaciones de Ingeniera de Intel Corporation.
Samsung está por tanto acelerando la producción de sus módulos de memoria DDR4 basados en chips de 4 Gb (Gigabits) incluyendo formatos RDIMM, LRDIMM y ECC SODIMM, pero también están preparando módulos de memoria con chips x4, x8 y x16. A finales de año, Samsung comenzará la transición hacia los chips de 8 Gb, presentando módulos de 32 GB de capacidad. Actualmente tienen kits de memoria de entre 8 y 64 GB a 2133 Mhz capaces de procesador hasta 2400 Mb por segundo.
Las DDR4 LRDIMMs, RDIMM y ECC SODIMM estarán disponibles a nivel mundial en la segunda mitad de este año, contando con capacidades de 8GB hasta 64GB y con una velocidad de transmisión de datos de 2133 a 2400 Mbps.
Fuente: Techpowerup
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