Samsung ha iniciado la producción en masa de memoria MLC (Multi Level Cell) 3D V-NAND (Vertical NAND) de 3 bits, un tipo de memoria apilable en posición vertical que abrirá las puertas a la llegada de SSDs más económicos.
“Con la adición de esta nueva línea de SSDs de alta densidad, enfocada tanto al rendimiento como al coste, creemos que los chips de 3 bits 3D V-NAND acelerarán la transición de dispositivos de almacenamiento “convencionales”, los discos duros mecánicos, hacia los SSDs” dijo Jaesoo Han, vice presidente de la división de memoria de Samsung. “Cuanto más amplia sea la variedad de SSDs en el mercado, más se incrementará nuestra capacidad de ser competitivos ya que no paramos de expandir cada vez más nuestro catálogo de SSDs”.
En el caso de la memoria 3D V-NAND TLC de está ocasión, la tecnología empleada es de 2da generación ya que cada módulo de memoria se compone de 32 celdas apiladas y no 24 celdas como la memoria lanzada en el 2013, lo que permite incrementar su capacidad de almacenamiento hasta 128 Gb por chip.
Lo dicho será posible gracias al menor coste de producción que presenta la memoria TLC 3D V-NAND de 3 bits aunque esto tiene varias contrapartidas que, evidentemente, debemos tener en cuenta.
La primera es que su rendimiento es inferior al de la memoria MLC NAND de 2 bits, lo que significa que sus velocidades de lectura y escritura están un escalón por debajo.
En segundo lugar hay que tener presente que el ciclo de vida que ofrece la memoria TLC 3D V-NAND de 3 bits es también menor que el de su homónima MLC de 2 bits, lo que significa que los SSDs basados en la primera tendrán una vida útil más reducida en el tiempo.
A pesar de todo presenta, como anticipamos, dos importantes ventajas. Por un lado su fabricación presenta una mayor tasa de éxito por oblea, lo que supone más chips funcionales y menores costes de producción.
Por otro lado facilita la fabricación de SSDs de mayor capacidad manteniendo precios más controlados, algo que sin duda puede contribuir a popularizar e incrementar el uso de estas soluciones de almacenamiento a nivel general.
De esta noticia, nosotros personalmente sacamos dos conclusiones. La primera es que hay que reconocer que Samsung está trabajando mucho y muy duro en este negocio, siendo pioneros en la mayoría de tecnologías referentes a la producción de chips de memoria (sin ir más lejos, fueron los primeros en presentar chips V-NAND de 24 celdas en Agosto de 2013, y también los primeros en llegar a las 32 capas en Mayo de este año). La segunda conclusión está en las declaraciones de Jaesoo Han: Samsung va a por los discos duros mecánicos.
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