Samsung Electronics Ltd, ha anunciado hoy que ha comenzado a producir en masa las primeras memorias RAM del mundo de 64 GB (Gigabytes) DDR4 con tecnología 3D TSV (through silicon via). Estas nuevas memorias RAM de alta densidad tienen formato RDIMM (registered dual inline memory module), por lo que están orientadas a servidores y centros de datos, pero con esta tecnología ya en marcha y en fase de producción en masa no hay que descartar su integración en productos de cara al usuario dentro de poco tiempo.
Cada uno de los módulos de memoria RDIMM integra 34 chips DDR4 DRAM, cada un de los cuales con dies de 4 Gb (Gigabits). Estos chips son de bajo consumo, y se han fabricado utilizando la tecnología de fabricación de 20 nanómetros propia de Samsung que incluye, como hemos mencionado antes, la tecnología 3D TSV.
Para construir los módulos 3D TSV DRAM, los dies DDR4 se han “aplastado” hasta tener un grosor de apenas una docena de micras. Estos tienen una serie de microperforaciones mediante las que se conectan verticalmente a través de electrodos, permitiendo colocar los dies unos encima de los otros en vertical (esto es lo que se llama tecnología 3D). Como resultado, los nuevos módulos TSV de 64 GB tienen el doble de rendimiento que otros módulos de igual capacidad pero que no utilizan esta tecnología 3D TSV, además de que consumen aproximadamente la mitad.
No sabemos todavía cuándo estará su producción finalizada y lista para hacer su aparición en el mercado, pero como hemos comentado al principio esto es un precedente para poder ver esta tecnología en módulos de memoria orientados a PCs de sobremesa dentro de poco.
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